Інші пропозиції SIHP15N80AE-GE3 за ціною від 68.61 грн до 150.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHP15N80AE-GE3 | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - SIHP15N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.304 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.304ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIHP15N80AE-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 800V 13A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1093 pF @ 100 V |
на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIHP15N80AE-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs TO220 800V 13A N-CH MOSFET |
на замовлення 1695 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| SIHP15N80AE-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товару немає в наявності |