Інші пропозиції SIHP15N80AE-GE3 за ціною від 65.09 грн до 137.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHP15N80AE-GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 800V 13A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1093 pF @ 100 V |
на замовлення 63 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIHP15N80AE-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs TO220 800V 13A N-CH MOSFET |
на замовлення 1695 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| SIHP15N80AE-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 13A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1093 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 800V 13A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1093 pF @ 100 V
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 131.19 грн |
| 50+ | 65.09 грн |
| SIHP15N80AE-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 800V 13A N-CH MOSFET
MOSFETs TO220 800V 13A N-CH MOSFET
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 137.68 грн |
| 10+ | 121.26 грн |
| 100+ | 101.25 грн |
| 500+ | 85.19 грн |
| 1000+ | 78.91 грн |
| 2000+ | 74.72 грн |
З цим товаром купують
| TL494CDR Код товару: 123303
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
Виробник: TI
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SOIC-16
Призначення і характеристики: Switching Controllers PWM Controller
Напруга вхідна, V: 40 V
Iвых., A: 0,2 A
Fosc, kHz: 300 kHz
Темп.діапазон: -40…+85°C
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SOIC-16
Призначення і характеристики: Switching Controllers PWM Controller
Напруга вхідна, V: 40 V
Iвых., A: 0,2 A
Fosc, kHz: 300 kHz
Темп.діапазон: -40…+85°C
у наявності: 519 шт
- 460 шт - склад
- 14 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 15 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 30 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 20 шт
- 20 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 12.00 грн |
| 10+ | 10.80 грн |
| 100+ | 9.70 грн |