Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > SIHP15N80AE-GE3

SIHP15N80AE-GE3

sihp15n80ae.pdf
Код товару: 213863
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SIHP15N80AE-GE3 за ціною від 63.77 грн до 128.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHP15N80AE-GE3 SIHP15N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihp15n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 13A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1093 pF @ 100 V
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.54 грн
50+63.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N80AE-GE3 SIHP15N80AE-GE3 Vishay / Siliconix sihp15n80ae.pdf MOSFETs TO220 800V 13A N-CH MOSFET
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N80AE-GE3 SIHP15N80AE-GE3 VISHAY sihp15n80ae.pdf Description: VISHAY - SIHP15N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.304 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.304ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N80AE-GE3 SIHP15N80AE-GE3 Vishay sihp15n80ae.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N80AE-GE3 sihp15n80ae.pdf
SIHP15N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 13A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1093 pF @ 100 V
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+128.54 грн
50+63.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N80AE-GE3 sihp15n80ae.pdf
SIHP15N80AE-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 800V 13A N-CH MOSFET
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N80AE-GE3 sihp15n80ae.pdf
SIHP15N80AE-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHP15N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.304 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.304ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N80AE-GE3 sihp15n80ae.pdf
SIHP15N80AE-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

TL494CDR
Код товару: 123303
3 Додати до обраних Обраний товар
suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Ftl494
TL494CDR
Виробник: TI
Мікросхеми > Джерел живлення
Корпус: SOIC-16
Призначення і характеристики: імпульсні контролери, ШІМ-контролер
Напруга вхідна, В: 40 В
Iвих., А: 0,2 А
Частота Fosc, кГц: 300 кГц
Темп. діапазон: -40…+85°С
у наявності: 477 шт
  • 414 шт - склад
  • 4 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 15 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 30 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 14 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 40 шт
  • 40 шт - очікується
КількістьЦіна без ПДВ
2+12.00 грн
10+10.80 грн
100+9.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.