Продукція > VISHAY > SIHP15N80AEF-GE3
SIHP15N80AEF-GE3

SIHP15N80AEF-GE3 Vishay


sihp15n80aef.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 13A Tube
на замовлення 50 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+98.59 грн
10+94.19 грн
25+93.25 грн
50+89.02 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHP15N80AEF-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SIHP15N80AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.305 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EF, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SIHP15N80AEF-GE3 за ціною від 63.99 грн до 231.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHP15N80AEF-GE3 SIHP15N80AEF-GE3 Виробник : VISHAY sihp15n80aef.pdf Description: VISHAY - SIHP15N80AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.305 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.305ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+147.73 грн
10+89.96 грн
100+84.18 грн
500+63.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N80AEF-GE3 SIHP15N80AEF-GE3 Виробник : Vishay sihp15n80aef.pdf MOSFETs TO220 800V 13A N-CH MOSFET
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+184.53 грн
10+102.37 грн
100+83.87 грн
250+83.13 грн
500+76.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N80AEF-GE3 SIHP15N80AEF-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihp15n80aef.pdf Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1128 pF @ 100 V
на замовлення 2041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.58 грн
50+111.84 грн
100+101.04 грн
500+77.05 грн
1000+71.34 грн
2000+66.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N80AEF-GE3 SIHP15N80AEF-GE3 Виробник : Vishay sihp15n80aef.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 13A Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N80AEF-GE3 Виробник : Vishay sihp15n80aef.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 13A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N80AEF-GE3 Виробник : VISHAY sihp15n80aef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 28A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Gate charge: 54nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N80AEF-GE3 Виробник : VISHAY sihp15n80aef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 28A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Gate charge: 54nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.