| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 122.25 грн |
| 10+ | 116.80 грн |
| 25+ | 115.63 грн |
| 50+ | 110.39 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHP15N80AEF-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIHP15N80AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.35 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 13A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 156W, SVHC: Lead (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EF, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm.
Інші пропозиції SIHP15N80AEF-GE3 за ціною від 66.89 грн до 217.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHP15N80AEF-GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FASTPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1128 pF @ 100 V |
на замовлення 1991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SIHP15N80AEF-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIHP15N80AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.35 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 156W SVHC: Lead (07-Nov-2024) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EF productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm |
на замовлення 913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SIHP15N80AEF-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 13A Tube |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. |
| SIHP15N80AEF-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1128 pF @ 100 V
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1128 pF @ 100 V
на замовлення 1991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 217.06 грн |
| 50+ | 104.87 грн |
| 100+ | 94.74 грн |
| 500+ | 72.25 грн |
| 1000+ | 66.89 грн |
| SIHP15N80AEF-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHP15N80AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.35 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
Description: VISHAY - SIHP15N80AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 13 A, 0.35 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SIHP15N80AEF-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 13A Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 13A Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)