SIHP17N80AEF-GE3

SIHP17N80AEF-GE3 Vishay Siliconix


sihp17n80aef.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 305mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V
на замовлення 928 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+222.03 грн
10+152.81 грн
100+113.20 грн
500+89.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHP17N80AEF-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIHP17N80AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 15 A, 0.263 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 179W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EF, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.263ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SIHP17N80AEF-GE3 за ціною від 85.06 грн до 259.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHP17N80AEF-GE3 SIHP17N80AEF-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihp17n80aef.pdf MOSFETs TO220 800V 15A N-CH MOSFET
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+243.76 грн
10+178.51 грн
100+114.77 грн
500+94.17 грн
1000+93.43 грн
2000+85.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP17N80AEF-GE3 SIHP17N80AEF-GE3 Виробник : VISHAY sihp17n80aef.pdf Description: VISHAY - SIHP17N80AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 15 A, 0.263 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.263ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+259.96 грн
10+174.13 грн
100+122.97 грн
500+85.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP17N80AEF-GE3 Виробник : Vishay sihp17n80aef.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 15A Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP17N80AEF-GE3 Виробник : VISHAY sihp17n80aef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 9A; Idm: 32A; 179W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 179W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 305mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP17N80AEF-GE3 Виробник : VISHAY sihp17n80aef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 9A; Idm: 32A; 179W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 179W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 305mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.