Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SIHP180N60E-GE3

SIHP180N60E-GE3 Vishay Semiconductors

Name: SIHP180N60E-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 3772103-4
Price: 573.68 UAH
Availability: InStock

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB

на замовлення 921 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	286.84 грн
10+	211.00 грн
100+	148.25 грн
500+	132.10 грн
1000+	105.68 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SIHP180N60E-GE3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHP180N60E-GE3

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
SIHP180N60E-GE3	Виробник : Vishay	Trans MOSFET N-CH 600V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SIHP180N60E-GE3	Виробник : VISHAY	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 44A; 156W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 156W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 33nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SIHP180N60E-GE3	Виробник : Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 100 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
SIHP180N60E-GE3	Виробник : VISHAY	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 44A; 156W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A Pulsed drain current: 44A Power dissipation: 156W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 33nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.