Технічний опис SIHP180N60E-GE3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 600V 19A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1085 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHP180N60E-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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SIHP180N60E-GE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SIHP180N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.155 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 19 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 156 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 156 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: E Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.155 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SIHP180N60E-GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHP180N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.155 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 19
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 156
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 156
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: E
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.155
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: VISHAY - SIHP180N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 19 A, 0.155 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 19
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 156
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 156
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: E
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.155
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.155
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)