Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHP186N60EF-GE3
SIHP186N60EF-GE3

SIHP186N60EF-GE3 Vishay Siliconix

sihp186n60ef.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 100 V
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+325.83 грн
10+206.94 грн
100+146.50 грн
500+113.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHP186N60EF-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHP186N60EF-GE3 за ціною від 124.99 грн до 347.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHP186N60EF-GE3 SIHP186N60EF-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sihp186n60ef.pdf MOSFETs TO220 600V 18A N-CH MOSFET
на замовлення 1338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+347.80 грн
10+227.66 грн
100+140.52 грн
500+124.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP186N60EF-GE3 Виробник : Vishay sihp186n60ef.pdf SIHP186N60EF-GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP186N60EF-GE3 Виробник : VISHAY sihp186n60ef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 43A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 43A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 193mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.