SIHP186N60EF-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 310.89 грн |
| 10+ | 221.37 грн |
| 100+ | 135.13 грн |
| 500+ | 121.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHP186N60EF-GE3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 9.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 156W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHP186N60EF-GE3 за ціною від 110.14 грн до 316.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHP186N60EF-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 193mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 100 V |
на замовлення 730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| SIHP186N60EF-GE3 | Виробник : Vishay |
SIHP186N60EF-GE3 |
товару немає в наявності |