SIHP18N50C-E3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 223W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2942 pF @ 25 V
на замовлення 599 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 182.25 грн |
| 50+ | 141.07 грн |
| 100+ | 116.06 грн |
| 500+ | 92.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHP18N50C-E3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHP18N50C-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.225 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 223W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.225ohm.
Інші пропозиції SIHP18N50C-E3 за ціною від 74.58 грн до 215.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHP18N50C-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB |
на замовлення 8465 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIHP18N50C-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHP18N50C-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.225 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 223W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.225ohm |
на замовлення 679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SIHP18N50C-E3 |
|
на замовлення 110000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
SIHP18N50C-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |