SIHP18N50C-E3 Vishay Semiconductors
на замовлення 6446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 244.66 грн |
| 10+ | 148.54 грн |
| 100+ | 117.01 грн |
| 500+ | 109.41 грн |
| 1000+ | 91.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHP18N50C-E3 Vishay Semiconductors
Description: VISHAY - SIHP18N50C-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.27 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 18A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 223W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Інші пропозиції SIHP18N50C-E3 за ціною від 145.75 грн до 289.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHP18N50C-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 223W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2942 pF @ 25 V |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
SIHP18N50C-E3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHP18N50C-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 18 A, 0.27 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 223W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| SIHP18N50C-E3 |
|
на замовлення 110000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||
 |
SIHP18N50C-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |