Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHP20N50E-GE3
SIHP20N50E-GE3

SIHP20N50E-GE3 Vishay Siliconix

sihp20n50e.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 19A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+249.88 грн
10+167.83 грн
100+117.26 грн
500+89.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHP20N50E-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 500V 19A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 179W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1640 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHP20N50E-GE3 за ціною від 86.07 грн до 286.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHP20N50E-GE3 SIHP20N50E-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihp20n50e.pdf MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+286.67 грн
10+182.74 грн
100+114.77 грн
500+94.90 грн
1000+87.55 грн
2000+86.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP20N50E-GE3 SIHP20N50E-GE3 Виробник : Vishay sihp20n50e.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP20N50E-GE3 SIHP20N50E-GE3 Виробник : Vishay sihp20n50e.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP20N50E-GE3 Виробник : VISHAY sihp20n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 42A; 179W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 179W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP20N50E-GE3 Виробник : VISHAY sihp20n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 42A; 179W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 179W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.