на замовлення 7648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 263.50 грн |
| 10+ | 185.28 грн |
| 25+ | 145.66 грн |
| 100+ | 124.33 грн |
| 250+ | 114.03 грн |
| 500+ | 107.41 грн |
| 1000+ | 105.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHP21N60EF-BE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 176mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 227W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHP21N60EF-BE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHP21N60EF-BE3 | Виробник : Vishay |
 N Channel Trans MOSFET |
товару немає в наявності |
||
| SIHP21N60EF-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 21A |
товару немає в наявності |
||
 |
SIHP21N60EF-BE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 176mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 227W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |