| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 463.29 грн |
| 10+ | 299.40 грн |
| 100+ | 191.61 грн |
| 500+ | 170.40 грн |
| 1000+ | 158.70 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHP21N65EF-GE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 21A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2322 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHP21N65EF-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHP21N65EF-GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 650V 21A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2322 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
SIHP21N65EF-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIHP21N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650 Dauer-Drainstrom Id: 21 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 208 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - Verlustleistung: 208 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| SIHP21N65EF-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 21A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2322 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 650V 21A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2322 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHP21N65EF-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHP21N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 21
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 208
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 208
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: VISHAY - SIHP21N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 21 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650
Dauer-Drainstrom Id: 21
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 208
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 208
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.