SIHP21N80AE-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIHP21N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17.4 A, 0.205 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 32W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 168.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHP21N80AE-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIHP21N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 17.4 A, 0.205 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 32W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.205ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SIHP21N80AE-GE3 за ціною від 132.92 грн до 263.86 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHP21N80AE-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 800V 17.4A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1388 pF @ 100 V |
на замовлення 976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
SIHP21N80AE-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 17.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||
| SIHP21N80AE-GE3 | Виробник : VISHAY |
SIHP21N80AE-GE3 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||
 |
SIHP21N80AE-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 850V Vds; 30V Vgs TO-220AB |
товару немає в наявності |