Продукція > VISHAY > SIHP21N80AEF-GE3
SIHP21N80AEF-GE3

SIHP21N80AEF-GE3 VISHAY

3213192.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHP21N80AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 16.3 A, 0.22 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+190.64 грн
10+137.00 грн
100+111.41 грн
500+95.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHP21N80AEF-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIHP21N80AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 16.3 A, 0.22 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 179W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EF, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm, SVHC: No SVHC (10-Jun-2022).

Інші пропозиції SIHP21N80AEF-GE3 за ціною від 93.43 грн до 292.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHP21N80AEF-GE3 SIHP21N80AEF-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihp21n80aef.pdf MOSFETs TO220 800V 16.3A N-CH MOSFET
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+290.96 грн
10+192.90 грн
100+119.18 грн
500+97.85 грн
1000+94.90 грн
2000+93.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP21N80AEF-GE3 SIHP21N80AEF-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihp21n80aef.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1511 pF @ 100 V
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+292.06 грн
10+184.15 грн
100+129.18 грн
500+99.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP21N80AEF-GE3 Виробник : Vishay sihp21n80aef.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 16.3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP21N80AEF-GE3 SIHP21N80AEF-GE3 Виробник : Vishay sihp21n80aef.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 16.3A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP21N80AEF-GE3 Виробник : VISHAY sihp21n80aef.pdf SIHP21N80AEF-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.