Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHP21N80AEF-GE3
SIHP21N80AEF-GE3

SIHP21N80AEF-GE3 Vishay Siliconix

sihp21n80aef.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 8.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1511 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+282.49 грн
10+178.12 грн
100+124.95 грн
500+95.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHP21N80AEF-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIHP21N80AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 16.3 A, 0.25 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 179W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EF, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIHP21N80AEF-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHP21N80AEF-GE3 SIHP21N80AEF-GE3 Vishay / Siliconix sihp21n80aef.pdf MOSFETs TO220 800V 16.3A N-CH MOSFET
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP21N80AEF-GE3 SIHP21N80AEF-GE3 VISHAY sihp21n80aef.pdf Description: VISHAY - SIHP21N80AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 16.3 A, 0.25 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP21N80AEF-GE3 sihp21n80aef.pdf
SIHP21N80AEF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs TO220 800V 16.3A N-CH MOSFET
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP21N80AEF-GE3 sihp21n80aef.pdf
SIHP21N80AEF-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHP21N80AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 16.3 A, 0.25 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.