Продукція > VISHAY > SIHP22N60E-GE3
SIHP22N60E-GE3

SIHP22N60E-GE3 VISHAY


sihp22n60e.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHP22N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 227W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 812 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+177.40 грн
10+174.05 грн
100+170.70 грн
500+156.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHP22N60E-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIHP22N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 21 A, 0.15 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 21A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 227W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIHP22N60E-GE3 за ціною від 145.46 грн до 362.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHP22N60E-GE3 SIHP22N60E-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihp22n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 1127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+362.03 грн
10+305.38 грн
25+224.53 грн
100+220.05 грн
500+204.39 грн
1000+162.61 грн
2000+145.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP22N60E-GE3 SIHP22N60E-GE3 Виробник : Vishay sihp22n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP22N60E-GE3 Виробник : VISHAY sihp22n60e.pdf SIHP22N60E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP22N60E-GE3 SIHP22N60E-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihp22n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 227W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.