Продукція > VISHAY > SIHP240N60E-GE3
SIHP240N60E-GE3

SIHP240N60E-GE3 Vishay

sihp240n60e.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
581+20.96 грн
Мінімальне замовлення: 581
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHP240N60E-GE3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 78W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHP240N60E-GE3 за ціною від 19.46 грн до 168.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHP240N60E-GE3 SIHP240N60E-GE3 Виробник : Vishay sihp240n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+40.05 грн
31+19.46 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP240N60E-GE3 SIHP240N60E-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihp240n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 795 pF @ 100 V
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.49 грн
50+91.86 грн
100+90.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP240N60E-GE3 SIHP240N60E-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihp240n60e.pdf MOSFETs 600V Vds; +/-30V Vgs TO-220AB
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+168.68 грн
10+110.56 грн
100+94.67 грн
500+91.00 грн
1000+88.07 грн
2000+86.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP240N60E-GE3 SIHP240N60E-GE3 Виробник : Vishay sihp240n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP240N60E-GE3 SIHP240N60E-GE3 Виробник : Vishay sihp240n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP240N60E-GE3 Виробник : VISHAY sihp240n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 31A; 78W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 78W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP240N60E-GE3 Виробник : VISHAY sihp240n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 31A; 78W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 78W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.