Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SiHP24N65E-E3
SiHP24N65E-E3

SiHP24N65E-E3 Vishay Semiconductors

sihp24n65e.pdf Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+448.03 грн
10+370.56 грн
25+253.07 грн
100+222.18 грн
250+219.97 грн
500+204.52 грн
1000+186.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SiHP24N65E-E3 Vishay Semiconductors

Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SiHP24N65E-E3 за ціною від 196.65 грн до 481.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHP24N65E-E3 SIHP24N65E-E3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001815318-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHP24N65E-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.12 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+481.97 грн
10+335.07 грн
25+315.26 грн
100+273.58 грн
500+228.49 грн
1000+196.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N65E-E3 SIHP24N65E-E3 Виробник : Vishay sihp24n65e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N65E-E3 SIHP24N65E-E3 Виробник : Vishay sihp24n65e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHP24N65E-E3 SiHP24N65E-E3 Виробник : Vishay Siliconix sihp24n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.