Продукція > VISHAY > SIHP24N65E-GE3
SIHP24N65E-GE3

SIHP24N65E-GE3 Vishay


sihp24n65e.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
76+161.87 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHP24N65E-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SIHP24N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.12 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIHP24N65E-GE3 за ціною від 150.30 грн до 448.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHP24N65E-GE3 SIHP24N65E-GE3 Виробник : Vishay sihp24n65e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+199.15 грн
5+150.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N65E-GE3 SIHP24N65E-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0001815318-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHP24N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.12 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+433.27 грн
10+363.95 грн
100+220.35 грн
500+179.32 грн
1000+159.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N65E-GE3 SIHP24N65E-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihp24n65e.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+448.03 грн
10+370.56 грн
25+214.82 грн
100+194.96 грн
250+193.48 грн
500+186.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N65E-GE3 SIHP24N65E-GE3 Виробник : Vishay sihp24n65e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N65E-GE3 Виробник : VISHAY sihp24n65e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 70A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N65E-GE3 SIHP24N65E-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihp24n65e.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N65E-GE3 Виробник : VISHAY sihp24n65e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 70A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.