Продукція > VISHAY > SIHP24N65E-GE3
SIHP24N65E-GE3

SIHP24N65E-GE3 Vishay

sihp24n65e.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
76+186.38 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHP24N65E-GE3 Vishay

Description: VISHAY - SIHP24N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.145 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 250W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm.

Інші пропозиції SIHP24N65E-GE3 за ціною від 186.38 грн до 246.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHP24N65E-GE3 SIHP24N65E-GE3 Vishay sihp24n65e.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+246.95 грн
5+186.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N65E-GE3 SIHP24N65E-GE3 VISHAY VISH-S-A0001815318-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHP24N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.145 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
на замовлення 1246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N65E-GE3 SIHP24N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihp24n65e.pdf MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N65E-GE3 sihp24n65e.pdf
SIHP24N65E-GE3
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+246.95 грн
5+186.38 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N65E-GE3 VISH-S-A0001815318-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIHP24N65E-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHP24N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.145 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 250W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
на замовлення 1246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N65E-GE3 sihp24n65e.pdf
SIHP24N65E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.