SIHP24N80AE-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 21A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1836 pF @ 100 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 280.95 грн |
| 10+ | 177.97 грн |
| 100+ | 125.68 грн |
| 500+ | 97.00 грн |
| 1000+ | 90.28 грн |
| 2000+ | 88.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHP24N80AE-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 21A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 184mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1836 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHP24N80AE-GE3 за ціною від 165.54 грн до 290.91 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHP24N80AE-GE3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 51A; 208W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 13A Pulsed drain current: 51A Power dissipation: 208W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 184mΩ Mounting: THT Gate charge: 89nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
на замовлення 840 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
SIHP24N80AE-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs N-CHANNEL 800V TO-220AB |
на замовлення 3703 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
SIHP24N80AE-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIHP24N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 21 A, 0.16 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm |
на замовлення 1739 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SIHP24N80AE-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 51A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 51A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 51A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 51A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 840 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 290.91 грн |
| 10+ | 183.66 грн |
| 25+ | 165.54 грн |
| SIHP24N80AE-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 800V TO-220AB
MOSFETs N-CHANNEL 800V TO-220AB
на замовлення 3703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SIHP24N80AE-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHP24N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 21 A, 0.16 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
Description: VISHAY - SIHP24N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 21 A, 0.16 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 1739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)