SIHP24N80AEF-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; Idm: 46A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 251.69 грн |
| 3+ | 215.55 грн |
| 6+ | 169.76 грн |
| 16+ | 160.28 грн |
| 25+ | 153.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHP24N80AEF-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIHP24N80AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 20 A, 0.195 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 208W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EF Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Інші пропозиції SIHP24N80AEF-GE3 за ціною від 123.97 грн до 302.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHP24N80AEF-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1889 pF @ 100 V |
на замовлення 740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIHP24N80AEF-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs TO220 800V 20A N-CH MOSFET |
на замовлення 1708 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIHP24N80AEF-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHP24N80AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 20 A, 0.195 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EF Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 799 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
SIHP24N80AEF-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; Idm: 46A; 208W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 20A Pulsed drain current: 46A Power dissipation: 208W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.195Ω Mounting: THT Gate charge: 90nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 409 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|