SIHP24N80AEF-GE3

SIHP24N80AEF-GE3 Vishay Siliconix


sihp24n80aef.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1889 pF @ 100 V
на замовлення 873 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+257.84 грн
10+164.61 грн
100+129.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHP24N80AEF-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIHP24N80AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 208W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: EF Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIHP24N80AEF-GE3 за ціною від 121.08 грн до 338.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHP24N80AEF-GE3 SIHP24N80AEF-GE3 Виробник : VISHAY sihp24n80aef.pdf Description: VISHAY - SIHP24N80AEF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EF Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+274.82 грн
10+183.21 грн
100+145.25 грн
500+121.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N80AEF-GE3 SIHP24N80AEF-GE3 Виробник : VISHAY sihp24n80aef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; Idm: 46A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+282.25 грн
3+239.10 грн
6+164.76 грн
15+155.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N80AEF-GE3 SIHP24N80AEF-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihp24n80aef.pdf MOSFETs TO220 800V 20A N-CH MOSFET
на замовлення 1838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+284.10 грн
10+186.13 грн
100+133.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N80AEF-GE3 SIHP24N80AEF-GE3 Виробник : VISHAY sihp24n80aef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; Idm: 46A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 429 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+338.70 грн
3+297.95 грн
6+197.71 грн
15+186.68 грн
500+183.92 грн
1000+179.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.