SIHP25N50E-BE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 204.79 грн |
| 50+ | 156.25 грн |
| 100+ | 133.93 грн |
| 500+ | 111.72 грн |
| 1000+ | 95.66 грн |
| 2000+ | 90.08 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHP25N50E-BE3 Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 500V, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHP25N50E-BE3 за ціною від 118.9 грн до 222.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHP25N50E-BE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET N-CHANNEL 500V |
на замовлення 521 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SIHP25N50E-BE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 26A |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SIHP25N50E-BE3 | Виробник : Vishay |
N Channel Trans MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SIHP25N50E-BE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; Idm: 50A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 26A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.145Ω Mounting: THT Gate charge: 86nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| SIHP25N50E-BE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; Idm: 50A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 26A Pulsed drain current: 50A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.145Ω Mounting: THT Gate charge: 86nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |