Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHP25N50E-BE3
SIHP25N50E-BE3

SIHP25N50E-BE3 Vishay Siliconix

sihp25n50e.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+261.03 грн
50+142.02 грн
100+129.54 грн
500+99.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHP25N50E-BE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 500V, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHP25N50E-BE3 за ціною від 105.20 грн до 340.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHP25N50E-BE3 SIHP25N50E-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihp25n50e.pdf MOSFETs TO220 500V 26A N-CH MOSFET
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+340.74 грн
50+153.13 грн
100+123.59 грн
250+122.12 грн
500+107.41 грн
1000+105.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP25N50E-BE3 Виробник : Vishay sihp25n50e.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 26A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP25N50E-BE3 Виробник : Vishay sihp25n50e.pdf N Channel Trans MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP25N50E-BE3 Виробник : VISHAY sihp25n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; Idm: 50A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP25N50E-BE3 Виробник : VISHAY sihp25n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; Idm: 50A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.