Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHP25N50E-GE3
SIHP25N50E-GE3

SIHP25N50E-GE3 Vishay Siliconix

tf-sihp25n50e-ge3.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+268.67 грн
50+140.52 грн
100+132.18 грн
500+101.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHP25N50E-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIHP25N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.125 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SIHP25N50E-GE3 за ціною від 98.28 грн до 296.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHP25N50E-GE3 SIHP25N50E-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors tf-sihp25n50e-ge3.pdf MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+287.98 грн
10+155.95 грн
100+127.99 грн
500+105.14 грн
1000+104.37 грн
2000+100.57 грн
5000+98.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP25N50E-GE3 SIHP25N50E-GE3 Виробник : VISHAY tf-sihp25n50e-ge3.pdf Description: VISHAY - SIHP25N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.125 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+296.56 грн
10+238.45 грн
100+164.95 грн
500+120.63 грн
1000+104.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP25N50E-GE3
Код товару: 189339
Додати до обраних Обраний товар

tf-sihp25n50e-ge3.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP25N50E-GE3 SIHP25N50E-GE3 Виробник : Vishay sihp25n50e.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP25N50E-GE3 Виробник : VISHAY tf-sihp25n50e-ge3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.