Інші пропозиції SIHP25N50E-GE3 за ціною від 109.61 грн до 344.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
SIHP25N50E-GE3 | Vishay Semiconductors |
MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220AB |
на замовлення 188 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
|
SIHP25N50E-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIHP25N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.145 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SIHP25N50E-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 188 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 344.22 грн |
| 10+ | 173.53 грн |
| 100+ | 137.39 грн |
| 500+ | 110.36 грн |
| 1000+ | 109.61 грн |
| SIHP25N50E-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHP25N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.145 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SIHP25N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.145 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
З цим товаром купують
| Блок живлення 5A Led drive XL4015 Код товару: 95797
22
Додати до обраних
Обраний товар
|
Блоки та елементи живлення > DC / DC перетворювачі
Напруга вх., В: 6...38 VDC
Напруга вих., VDC: 1,25...36 VDC
Макс. вих. струм: 5 А
Корпус, габарити, мм: 51x26 мм
Ізоляція, VDC: Неізольовані
Опис: Функція обмеження струму, захист від КЗ, ККД 96%, вихідний струм 0 ... 5A, можна використовувати в якості ЗП для Li-Po
Напруга вх., В: 6...38 VDC
Напруга вих., VDC: 1,25...36 VDC
Макс. вих. струм: 5 А
Корпус, габарити, мм: 51x26 мм
Ізоляція, VDC: Неізольовані
Опис: Функція обмеження струму, захист від КЗ, ККД 96%, вихідний струм 0 ... 5A, можна використовувати в якості ЗП для Li-Po
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 90.00 грн |
| 10+ | 79.90 грн |
| 100+ | 70.62 грн |






