Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > SIHP25N50E-GE3

SIHP25N50E-GE3

tf-sihp25n50e-ge3.pdf
Код товару: 189339
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SIHP25N50E-GE3 за ціною від 96.40 грн до 311.65 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHP25N50E-GE3 SIHP25N50E-GE3 Виробник : Vishay Siliconix tf-sihp25n50e-ge3.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V
на замовлення 1984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+301.30 грн
50+148.18 грн
100+134.47 грн
500+103.64 грн
1000+96.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP25N50E-GE3 SIHP25N50E-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0019268333-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHP25N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.145 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+301.93 грн
10+165.13 грн
100+150.56 грн
500+115.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP25N50E-GE3 SIHP25N50E-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors tf-sihp25n50e-ge3.pdf MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 1878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+311.65 грн
10+157.99 грн
100+124.20 грн
500+101.99 грн
1000+99.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP25N50E-GE3 SIHP25N50E-GE3 Виробник : Vishay sihp25n50e.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP25N50E-GE3 Виробник : VISHAY tf-sihp25n50e-ge3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

Блок живлення 5A Led drive XL4015
Код товару: 95797
15 Додати до обраних Обраний товар
Блок живлення 5A Led drive XL4015
+1
Блоки та елементи живлення > DC / DC перетворювачі
Напр. вх., V: 6...38 VDC
Напр. вих.,VDC: 1,25...36 VDC
Макс. вих. струм: 5 A
Корпус, габарити, мм: 51x26 mm
Опис: Функція обмеження струму, захист від КЗ, ККД 96%, вихідний струм 0 ... 5A, можна використовувати в якості ЗП для Li-Po
товару немає в наявності
очікується: 1800 шт
1200 шт - очікується 13.06.2026
600 шт - очікується 12.06.2026
Кількість Ціна
1+90.00 грн
10+79.90 грн
100+70.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.