Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > SIHP25N50E-GE3

SIHP25N50E-GE3

tf-sihp25n50e-ge3.pdf
Код товару: 189339
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції SIHP25N50E-GE3 за ціною від 96.82 грн до 302.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHP25N50E-GE3 SIHP25N50E-GE3 Vishay Siliconix tf-sihp25n50e-ge3.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+302.50 грн
50+148.82 грн
100+135.06 грн
500+104.09 грн
1000+96.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP25N50E-GE3 SIHP25N50E-GE3 VISHAY VISH-S-A0019268333-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHP25N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.145 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP25N50E-GE3 SIHP25N50E-GE3 Vishay Semiconductors tf-sihp25n50e-ge3.pdf MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 1878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP25N50E-GE3 tf-sihp25n50e-ge3.pdf
SIHP25N50E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+302.50 грн
50+148.82 грн
100+135.06 грн
500+104.09 грн
1000+96.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP25N50E-GE3 VISH-S-A0019268333-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIHP25N50E-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHP25N50E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 26 A, 0.145 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP25N50E-GE3 tf-sihp25n50e-ge3.pdf
SIHP25N50E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 1878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.

З цим товаром купують

Блок живлення 5A Led drive XL4015
Код товару: 95797
21 Додати до обраних Обраний товар
Блок живлення 5A Led drive XL4015Блок живлення 5A Led drive XL4015
Блок живлення 5A Led drive XL4015Блок живлення 5A Led drive XL4015
Блоки та елементи живлення > DC / DC перетворювачі
Напруга вх., В: 6...38 VDC
Напруга вих., VDC: 1,25...36 VDC
Макс. вих. струм: 5 А
Корпус, габарити, мм: 51x26 мм
Опис: Функція обмеження струму, захист від КЗ, ККД 96%, вихідний струм 0 ... 5A, можна використовувати в якості ЗП для Li-Po
у наявності: 9 шт
  • 9 шт - РАДІОМАГ-Харків
КількістьЦіна без ПДВ
1+90.00 грн
10+79.90 грн
100+70.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.