SIHP28N60EF-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 437.02 грн |
| 50+ | 243.66 грн |
| 100+ | 235.44 грн |
| 500+ | 175.77 грн |
| 1000+ | 173.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHP28N60EF-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 123mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2714 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHP28N60EF-GE3 за ціною від 186.46 грн до 470.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHP28N60EF-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB |
на замовлення 1100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| SIHP28N60EF-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| SIHP28N60EF-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 75A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Polarisation: unipolar Pulsed drain current: 75A Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Gate charge: 0.12µC On-state resistance: 123mΩ Power dissipation: 250W Gate-source voltage: ±30V Kind of package: tube Case: TO220AB Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| SIHP28N60EF-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 75A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Polarisation: unipolar Pulsed drain current: 75A Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Gate charge: 0.12µC On-state resistance: 123mΩ Power dissipation: 250W Gate-source voltage: ±30V Kind of package: tube Case: TO220AB Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |