на замовлення 933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 497.92 грн |
| 10+ | 412.66 грн |
| 100+ | 290.12 грн |
| 500+ | 258.06 грн |
| 1000+ | 220.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHP28N65EF-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIHP28N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.102 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 28A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Інші пропозиції SIHP28N65EF-GE3 за ціною від 261.65 грн до 506.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHP28N65EF-GE3 | Виробник : VISHAY |
 Description: VISHAY - SIHP28N65EF-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.102 ohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 28A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.102ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SIHP28N65EF-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 650V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| SIHP28N65EF-GE3 | Виробник : VISHAY |
SIHP28N65EF-GE3 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||
 |
SIHP28N65EF-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 650V 28A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3249 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |