Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHP30N60E-GE3 Vishay
Description: VISHAY - SIHP30N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.104 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 250W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.104ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SIHP30N60E-GE3 за ціною від 447.83 грн до 447.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SIHP30N60E-GE3 | Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SIHP30N60E-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 447.83 грн |