на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 460.65 грн |
| 10+ | 355.32 грн |
| 25+ | 226.78 грн |
| 100+ | 221.64 грн |
| 250+ | 217.97 грн |
| 500+ | 214.30 грн |
| 1000+ | 212.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHP30N60E-GE3 Vishay / Siliconix
Description: VISHAY - SIHP30N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.104 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 250W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 250W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.104ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SIHP30N60E-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHP30N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|
 |
SIHP30N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHP30N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 29 A, 0.104 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 250W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.104ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
товару немає в наявності |
|
 |
SIHP30N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|
|
|
SIHP30N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 29A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|
| SIHP30N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 65A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 250W Gate charge: 130nC Pulsed drain current: 65A кількість в упаковці: 500 шт |
товару немає в наявності |
||
 |
SIHP30N60E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|
| SIHP30N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 65A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 18A Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 250W Gate charge: 130nC Pulsed drain current: 65A |
товару немає в наявності |