
SIHP35N60EF-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 600V 32A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2568 pF @ 100 V
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 441.67 грн |
50+ | 251.63 грн |
100+ | 239.93 грн |
500+ | 189.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHP35N60EF-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 32A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2568 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHP35N60EF-GE3 за ціною від 205.99 грн до 481.50 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SIHP35N60EF-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 856 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHP35N60EF-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
SIHP35N60EF-GE3 | Виробник : VISHAY |
![]() |
товару немає в наявності |