Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHP4N80E-BE3
SIHP4N80E-BE3

SIHP4N80E-BE3 Vishay Siliconix

sihp4n80e.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+63.02 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHP4N80E-BE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 600V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 69W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHP4N80E-BE3 за ціною від 67.12 грн до 144.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIHP4N80E-BE3 SIHP4N80E-BE3 Виробник : Vishay Siliconix sihp4n80e.pdf Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+133.27 грн
10+ 106.2 грн
100+ 84.53 грн
500+ 67.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP4N80E-BE3 SIHP4N80E-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihp4n80e.pdf MOSFET N-CHANNEL 800V
на замовлення 25850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+144.51 грн
10+ 101.85 грн
100+ 81.91 грн
1000+ 69.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP4N80E-BE3 Виробник : Vishay sihp4n80e.pdf N Channel Trans MOSFET
товар відсутній