Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHP5N50D-GE3
SIHP5N50D-GE3

SIHP5N50D-GE3 Vishay Siliconix

sihp5n50d.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+78.56 грн
10+61.50 грн
100+47.85 грн
500+38.06 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHP5N50D-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIHP5N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 104W, SVHC: Lead (19-Jan-2021), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: D, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm.

Інші пропозиції SIHP5N50D-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHP5N50D-GE3 SIHP5N50D-GE3 Vishay / Siliconix sihp5n50d.pdf MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP5N50D-GE3 SIHP5N50D-GE3 VISHAY VISH-S-A0001815350-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHP5N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP5N50D-GE3 sihp5n50d.pdf
SIHP5N50D-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP5N50D-GE3 VISH-S-A0001815350-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIHP5N50D-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHP5N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.