Продукція > VISHAY > SIHP5N50D-GE3
SIHP5N50D-GE3

SIHP5N50D-GE3 VISHAY

sihp5n50d.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHP5N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Anzahl der Pins: 3Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 1606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+67.96 грн
14+ 54.69 грн
100+ 39.64 грн
500+ 30.86 грн
1000+ 21.65 грн
Мінімальне замовлення: 11
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHP5N50D-GE3 VISHAY

Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHP5N50D-GE3 за ціною від 26.57 грн до 77.5 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIHP5N50D-GE3 SIHP5N50D-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihp5n50d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+71.85 грн
10+ 56.32 грн
100+ 43.77 грн
500+ 34.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHP5N50D-GE3 SIHP5N50D-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihp5n50d.pdf MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+77.5 грн
10+ 52.56 грн
100+ 37.4 грн
500+ 33.21 грн
1000+ 29.16 грн
2000+ 27.63 грн
5000+ 26.57 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHP5N50D-GE3 SIHP5N50D-GE3 Виробник : Vishay sihp5n50d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
SIHP5N50D-GE3 Виробник : VISHAY sihp5n50d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.4A; Idm: 10A; 104W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 104W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SIHP5N50D-GE3 Виробник : VISHAY sihp5n50d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.4A; Idm: 10A; 104W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.4A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 104W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній