Продукція > VISHAY > SIHP5N80AE-GE3
SIHP5N80AE-GE3

SIHP5N80AE-GE3 Vishay

sihp5n80ae.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 4.4A Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+51.01 грн
25+50.95 грн
50+48.52 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHP5N80AE-GE3 Vishay

Description: E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 321 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHP5N80AE-GE3 за ціною від 40.32 грн до 155.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHP5N80AE-GE3 SIHP5N80AE-GE3 Виробник : VISHAY 3296211.pdf Description: VISHAY - SIHP5N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.4 A, 1.17 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.17ohm
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+129.57 грн
10+98.21 грн
100+72.38 грн
500+57.02 грн
1000+40.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP5N80AE-GE3 SIHP5N80AE-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihp5n80ae.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 321 pF @ 100 V
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.98 грн
50+72.45 грн
100+64.87 грн
500+48.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP5N80AE-GE3 SIHP5N80AE-GE3 Виробник : Vishay sihp5n80ae.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 4.4A Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP5N80AE-GE3 Виробник : Vishay sihp5n80ae.pdf MOSFETs TO220 800V 4.4A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.