SIHP690N60E-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 6.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 100 V
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 140.24 грн |
| 10+ | 112.16 грн |
| 100+ | 89.24 грн |
| 500+ | 70.86 грн |
| 1000+ | 60.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHP690N60E-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 6.4A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 347 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHP690N60E-GE3 за ціною від 66.76 грн до 174.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHP690N60E-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET N-CHANNEL 600V |
на замовлення 1012 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| SIHP690N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
SIHP690N60E-GE3 |
товару немає в наявності |