SIHP6N40D-BE3

SIHP6N40D-BE3 Vishay Siliconix


sihp6n40d.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 400V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 100 V
на замовлення 980 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+72.76 грн
50+ 56.23 грн
100+ 44.56 грн
500+ 35.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHP6N40D-BE3 Vishay Siliconix

Description: N-CHANNEL 400V, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 104W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHP6N40D-BE3 за ціною від 33.9 грн до 78.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIHP6N40D-BE3 SIHP6N40D-BE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihp6n40d.pdf MOSFET N-CHANNEL 400V
на замовлення 1673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+78.47 грн
10+ 53.53 грн
100+ 41.49 грн
1000+ 35.23 грн
2000+ 34.56 грн
5000+ 33.9 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHP6N40D-BE3 Виробник : Vishay sihp6n40d.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 6A
товар відсутній