SIHP6N80AE-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 143.25 грн |
| 50+ | 69.78 грн |
| 100+ | 65.41 грн |
| 500+ | 48.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHP6N80AE-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHP6N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 0.826 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.826ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SIHP6N80AE-GE3 за ціною від 37.00 грн до 179.38 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHP6N80AE-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIHP6N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 0.826 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 62.5W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.826ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIHP6N80AE-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs TO220 800V 5A N-CH MOSFET |
на замовлення 1738 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
SIHP6N80AE-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 5A Tube |
товару немає в наявності |