Продукція > VISHAY > SIHP6N80AE-GE3
SIHP6N80AE-GE3

SIHP6N80AE-GE3 VISHAY

sihp6n80ae.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHP6N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 0.826 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.826ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+106.84 грн
10+ 79.74 грн
100+ 59.92 грн
500+ 47.02 грн
1000+ 36.23 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHP6N80AE-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIHP6N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 5 A, 0.826 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.826ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Інші пропозиції SIHP6N80AE-GE3 за ціною від 41.75 грн до 122.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIHP6N80AE-GE3 SIHP6N80AE-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihp6n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.22 грн
50+ 87.92 грн
100+ 69.67 грн
500+ 55.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP6N80AE-GE3 SIHP6N80AE-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihp6n80ae.pdf MOSFET N-CHANNEL 800V
на замовлення 763 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+122.38 грн
10+ 96.83 грн
100+ 66.74 грн
500+ 56.38 грн
1000+ 45.82 грн
2000+ 43.13 грн
5000+ 41.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP6N80AE-GE3 SIHP6N80AE-GE3 Виробник : Vishay sihp6n80ae.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 5A Tube
товар відсутній