Технічний опис SIHP6N80E-GE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 78W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHP6N80E-GE3 за ціною від 65.03 грн до 79.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHP6N80E-GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V |
на замовлення 690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
SIHP6N80E-GE3 | Vishay / Siliconix |
MOSFETs 800V Vds 30V Vgs TO-220AB |
на замовлення 781 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
SIHP6N80E-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 21 шт В кошику од. на суму грн. |
| SIHP6N80E-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 79.28 грн |
| 10+ | 74.72 грн |
| 100+ | 69.59 грн |
| 500+ | 65.03 грн |
| SIHP6N80E-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 800V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFETs 800V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SIHP6N80E-GE3 |
|
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 800V 5.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)