
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
29+ | 21.29 грн |
35+ | 17.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHP6N80E-GE3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 800V 5.4A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 78W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHP6N80E-GE3 за ціною від 78.53 грн до 190.94 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
SIHP6N80E-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() |
на замовлення 1096 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
SIHP6N80E-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
на замовлення 259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
SIHP6N80E-GE3 | Виробник : Vishay |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
![]() |
SIHP6N80E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |