Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHP7N60E-GE3
SIHP7N60E-GE3

SIHP7N60E-GE3 Vishay Siliconix

sihp7n60e.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+201.59 грн
10+125.54 грн
100+86.43 грн
500+65.44 грн
1000+60.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHP7N60E-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 78W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHP7N60E-GE3 за ціною від 57.87 грн до 211.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHP7N60E-GE3 SIHP7N60E-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihp7n60e.pdf MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 6392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.49 грн
10+135.51 грн
100+80.18 грн
500+65.33 грн
1000+59.96 грн
2000+59.82 грн
5000+57.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP7N60E-GE3 SIHP7N60E-GE3 Виробник : Vishay sihp7n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP7N60E-GE3 SIHP7N60E-GE3 Виробник : Vishay sihp7n60e.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP7N60E-GE3 Виробник : VISHAY sihp7n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 18A; 78W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 78W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 40nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.