SIHP7N60E-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 77.80 грн |
| 10+ | 75.07 грн |
| 100+ | 74.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHP7N60E-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 78W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHP7N60E-GE3 за ціною від 63.85 грн до 90.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHP7N60E-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB |
на замовлення 6468 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
SIHP7N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
SIHP7N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
SIHP7N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||
| SIHP7N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 18A; 78W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 78W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||
| SIHP7N60E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5A; Idm: 18A; 78W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 5A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 78W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 40nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |