| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 208.87 грн |
| 10+ | 130.20 грн |
| 50+ | 99.58 грн |
| 100+ | 84.17 грн |
| 500+ | 67.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHP7N60E-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHP7N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 600, Dauer-Drainstrom Id: 7, Rds(on)-Messspannung Vgs: 10, Verlustleistung Pd: 78, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: E, Wandlerpolarität: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5, Betriebstemperatur, max.: 150, Schwellenspannung Vgs: 2, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SIHP7N60E-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHP7N60E-GE3 | Vishay / Siliconix |
 MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB |
на замовлення 6382 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
 |
SIHP7N60E-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIHP7N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 7 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 78 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: E Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 2 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 997 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SIHP7N60E-GE3 |
|
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 6382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| SIHP7N60E-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHP7N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 78
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: E
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: VISHAY - SIHP7N60E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 78
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: E
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)