Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHP8N50D-E3
SIHP8N50D-E3

SIHP8N50D-E3 Vishay Siliconix

sihp8n50d.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+149.22 грн
50+69.93 грн
100+62.74 грн
500+47.02 грн
1000+43.21 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHP8N50D-E3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220AB, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 156W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole.

Інші пропозиції SIHP8N50D-E3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHP8N50D-E3 SIHP8N50D-E3 Vishay / Siliconix sihp8n50d.pdf MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 1002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.