Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHP8N50D-GE3
SIHP8N50D-GE3

SIHP8N50D-GE3 Vishay Siliconix

sihp8n50d.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Mounting Type: Through Hole
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+127.78 грн
50+59.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHP8N50D-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIHP8N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8.7 A, 0.7 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 8.7A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 156W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: D, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).

Інші пропозиції SIHP8N50D-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHP8N50D-GE3 SIHP8N50D-GE3 Vishay / Siliconix sihp8n50d.pdf MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP8N50D-GE3 SIHP8N50D-GE3 VISHAY sihp8n50d.pdf Description: VISHAY - SIHP8N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8.7 A, 0.7 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP8N50D-GE3 sihp8n50d.pdf
SIHP8N50D-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP8N50D-GE3 sihp8n50d.pdf
SIHP8N50D-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHP8N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8.7 A, 0.7 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.