Продукція > VISHAY > SIHR080N60E-T1-GE3

SIHR080N60E-T1-GE3 VISHAY

Name: SIHR080N60E-T1-GE3
Brand: VISHAY
SKU: 6100999-6
Price: 3063.10 UAH
Availability: InStock

VISH-S-A0023860252-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHR080N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 51 A, 0.084 ohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 500W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8LR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm

на замовлення 2031 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
10+	306.31 грн
100+	229.73 грн
500+	203.49 грн
1000+	184.34 грн

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SIHR080N60E-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIHR080N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 51 A, 0.084 ohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 600V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 51A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 500W, SVHC: Lead (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8LR, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: E Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm.

Інші пропозиції SIHR080N60E-T1-GE3 за ціною від 184.34 грн до 567.81 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

SIHR080N60E-T1-GE3

VISHAY

Description: VISHAY - SIHR080N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 51 A, 0.084 ohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 500W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8LR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm

на замовлення 2031 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	450.50 грн
10+	306.31 грн
100+	229.73 грн
500+	203.49 грн
1000+	184.34 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SIHR080N60E-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	501.97 грн
10+	327.85 грн
100+	249.13 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHR080N60E-T1-GE3

Vishay / Siliconix

MOSFETs N-CHANNEL 600V

на замовлення 2177 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

1+	567.81 грн
10+	379.83 грн
100+	241.60 грн
500+	222.05 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHR080N60E-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHR080N60E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 51 A, 0.084 ohm, PowerPAK 8 x 8LR, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 500W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK 8 x 8LR
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm

на замовлення 2031 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2+	450.50 грн
10+	306.31 грн
100+	229.73 грн
500+	203.49 грн
1000+	184.34 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SIHR080N60E-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSMD, Gull Wing
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2557 pF @ 100 V

на замовлення 1990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	501.97 грн
10+	327.85 грн
100+	249.13 грн

В кошику од. на суму грн.

SIHR080N60E-T1-GE3

Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs N-CHANNEL 600V

на замовлення 2177 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
1+	567.81 грн
10+	379.83 грн
100+	241.60 грн
500+	222.05 грн

В кошику од. на суму грн.