Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHS36N50D-E3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 36A SUPER-247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-274AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 446W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA), Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3233 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHS36N50D-E3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHS36N50D-E3 | Vishay Siliconix |
 MOSFET N-CH 500V 36A SUPER-247 Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
 |
SIHS36N50D-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 36A SUPER-247 Packaging: Tube Package / Case: TO-274AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 446W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA) Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3233 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. |
 |
SIHS36N50D-E3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIHS36N50D-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 36 A, 0.105 ohm, TO-274AA, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500 Dauer-Drainstrom Id: 36 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 446 Bauform - Transistor: TO-274AA Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: D Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 3 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| SIHS36N50D-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
MOSFET N-CH 500V 36A SUPER-247 Транзистори
MOSFET N-CH 500V 36A SUPER-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIHS36N50D-E3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 36A SUPER-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3233 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 500V 36A SUPER-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3233 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SIHS36N50D-E3 |
|
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHS36N50D-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 36 A, 0.105 ohm, TO-274AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 36
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 446
Bauform - Transistor: TO-274AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: D
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: VISHAY - SIHS36N50D-E3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 36 A, 0.105 ohm, TO-274AA, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 36
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 446
Bauform - Transistor: TO-274AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: D
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 3
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.