Продукція > VISHAY / SILICONIX > SIHS36N50D-GE3
SIHS36N50D-GE3

SIHS36N50D-GE3 Vishay / Siliconix

sihs36n50d.pdf Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs MOSFET N-CHANNEL 500V
на замовлення 3173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+507.25 грн
10+460.24 грн
30+342.09 грн
120+309.72 грн
510+273.67 грн
1020+245.72 грн
5010+235.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHS36N50D-GE3 Vishay / Siliconix

Description: VISHAY - SIHS36N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 36 A, 0.105 ohm, Super-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 446W, Bauform - Transistor: Super-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: D, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Інші пропозиції SIHS36N50D-GE3 за ціною від 218.91 грн до 570.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHS36N50D-GE3 SIHS36N50D-GE3 Виробник : VISHAY sihs36n50d.pdf Description: VISHAY - SIHS36N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 36 A, 0.105 ohm, Super-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: Super-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+535.61 грн
5+466.29 грн
10+396.14 грн
50+345.62 грн
100+297.81 грн
250+287.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHS36N50D-GE3 SIHS36N50D-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihs36n50d.pdf Description: D SERIES POWER MOSFET SUPER-247,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3233 pF @ 100 V
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+570.60 грн
30+318.26 грн
120+267.46 грн
510+218.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHS36N50D-GE3 Виробник : Vishay sihs36n50d.pdf MOSFET N-CHANNEL 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHS36N50D-GE3 Виробник : VISHAY sihs36n50d.pdf SIHS36N50D-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.