Продукція > VISHAY > SIHS36N50D-GE3
SIHS36N50D-GE3

SIHS36N50D-GE3 VISHAY

3183562.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHS36N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 36 A, 0.105 ohm, Super-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 446W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 446W
Bauform - Transistor: Super-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+404.56 грн
10+ 357.14 грн
25+ 337.88 грн
100+ 295.85 грн
480+ 267.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHS36N50D-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIHS36N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 36 A, 0.105 ohm, Super-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 36A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 446W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 446W, Bauform - Transistor: Super-247, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: D, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.105ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Інші пропозиції SIHS36N50D-GE3 за ціною від 229.86 грн до 455.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
SIHS36N50D-GE3 SIHS36N50D-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihs36n50d.pdf Description: D SERIES POWER MOSFET SUPER-247,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 446W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3233 pF @ 100 V
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+418.69 грн
30+ 321.86 грн
120+ 287.99 грн
510+ 238.47 грн
SIHS36N50D-GE3 SIHS36N50D-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sihs36n50d.pdf MOSFET 500V N-CHANNEL
на замовлення 3385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+455.42 грн
10+ 413.22 грн
30+ 307.14 грн
120+ 278.07 грн
510+ 245.71 грн
1020+ 229.86 грн
SIHS36N50D-GE3 Виробник : Vishay sihs36n50d.pdf MOSFET N-CHANNEL 500V
товар відсутній
SIHS36N50D-GE3 Виробник : VISHAY sihs36n50d.pdf SIHS36N50D-GE3 THT N channel transistors
товар відсутній