Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHS90N65E-GE3
SIHS90N65E-GE3

SIHS90N65E-GE3 Vishay Siliconix

sihs90n65e.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET SUPER-247,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-274AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 625W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SUPER-247™ (TO-274AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 591 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11826 pF @ 100 V
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1346.72 грн
30+816.09 грн
120+735.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHS90N65E-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIHS90N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 87 A, 0.025 ohm, Super-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 87A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625W, Bauform - Transistor: Super-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIHS90N65E-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHS90N65E-GE3 SIHS90N65E-GE3 Vishay / Siliconix sihs90n65e.pdf MOSFETs SPR247 650V 87A N-CH MOSFET
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHS90N65E-GE3 SIHS90N65E-GE3 VISHAY sihs90n65e.pdf Description: VISHAY - SIHS90N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 87 A, 0.025 ohm, Super-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: Super-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHS90N65E-GE3 sihs90n65e.pdf
SIHS90N65E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs SPR247 650V 87A N-CH MOSFET
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHS90N65E-GE3 sihs90n65e.pdf
SIHS90N65E-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHS90N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 87 A, 0.025 ohm, Super-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625W
Bauform - Transistor: Super-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.