Продукція > VISHAY SILICONIX > SIHU3N50D-GE3
SIHU3N50D-GE3

SIHU3N50D-GE3 Vishay Siliconix

sihu3n50d.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 3A TO251
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-251AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHU3N50D-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 500V 3A TO251, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175 pF @ 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-251AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 69W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2Ohm @ 2.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Packaging: Tube.

Інші пропозиції SIHU3N50D-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIHU3N50D-GE3 SIHU3N50D-GE3 Vishay Semiconductors sihu3n50d.pdf MOSFETs 500V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHU3N50D-GE3 SIHU3N50D-GE3 VISHAY VISH-S-A0013857024-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIHU3N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.6 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 3
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 104
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 104
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: D
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.6
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.6
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHU3N50D-GE3 Vishay sihu3n50d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHU3N50D-GE3 sihu3n50d.pdf
SIHU3N50D-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFETs 500V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHU3N50D-GE3 VISH-S-A0013857024-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIHU3N50D-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHU3N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 3 A, 2.6 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 3
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 104
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
Verlustleistung: 104
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: D
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.6
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.6
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHU3N50D-GE3 sihu3n50d.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 500V 3A 3-Pin(3+Tab) IPAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.