| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 159.81 грн |
| 10+ | 98.36 грн |
| 50+ | 74.43 грн |
| 100+ | 62.61 грн |
| 500+ | 49.89 грн |
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Технічний опис SIHU4N80AE-GE3 Vishay Siliconix
Description: VISHAY - SIHU4N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 1.44 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 62.5W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.44ohm.
Інші пропозиції SIHU4N80AE-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
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SIHU4N80AE-GE3 | VISHAY |
 Description: VISHAY - SIHU4N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 1.44 ohm, TO-251, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 800V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 62.5W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.44ohm |
на замовлення 2878 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| SIHU4N80AE-GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHU4N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 1.44 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.44ohm
Description: VISHAY - SIHU4N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 1.44 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.44ohm
на замовлення 2878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)