SIHU4N80AE-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIHU4N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 1.25 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 95.73 грн |
| 13+ | 65.28 грн |
| 100+ | 49.60 грн |
| 500+ | 38.24 грн |
| 1000+ | 33.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHU4N80AE-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIHU4N80AE-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 1.25 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 800V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 62.5W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: E, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.25ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції SIHU4N80AE-GE3 за ціною від 43.29 грн до 143.34 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHU4N80AE-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 800V 4.3A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.27Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 622 pF @ 100 V |
на замовлення 2994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIHU4N80AE-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs Nch 800V Vds 30V Vgs TO-251 |
на замовлення 2920 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIHU4N80AE-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
SIHU4N80AE-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| SIHU4N80AE-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 11A; 69W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.7A Pulsed drain current: 11A Power dissipation: 69W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.27Ω Mounting: THT Gate charge: 32nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| SIHU4N80AE-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 11A; 69W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.7A Pulsed drain current: 11A Power dissipation: 69W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.27Ω Mounting: THT Gate charge: 32nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
товару немає в наявності |