SIHU5N50D-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIHU5N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.2 ohm, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: TO-251
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 7867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 55.58 грн |
| 17+ | 45.49 грн |
| 100+ | 35.41 грн |
| 500+ | 27.89 грн |
| 1000+ | 20.62 грн |
| 3000+ | 19.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHU5N50D-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIHU5N50D-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5.3 A, 1.2 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 104W, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: D, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SIHU5N50D-GE3 за ціною від 24.31 грн до 72.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHU5N50D-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFET 500V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251) |
на замовлення 10686 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
SIHU5N50D-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SIHU5N50D-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.4A; Idm: 10A; 104W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3.4A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 104W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
SIHU5N50D-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO251 Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| SIHU5N50D-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.4A; Idm: 10A; 104W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3.4A Pulsed drain current: 10A Power dissipation: 104W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 20nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |