SIHU6N62E-GE3 Vishay / Siliconix
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 175.52 грн |
| 10+ | 110.66 грн |
| 100+ | 66.36 грн |
| 500+ | 56.28 грн |
| 1000+ | 47.04 грн |
| 3000+ | 40.70 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHU6N62E-GE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 620V 6A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 78W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK (TO-251), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 578 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHU6N62E-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHU6N62E-GE3 | Виробник : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 620V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-251 |
товару немає в наявності |
|
 |
SIHU6N62E-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 620V 6A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 578 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
|
| SIHU6N62E-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 620V; 4A; Idm: 12A; 78W; IPAK,TO251 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 620V Drain current: 4A Power dissipation: 78W Case: IPAK; TO251 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Gate charge: 34nC Pulsed drain current: 12A |
товару немає в наявності |