Продукція > VISHAY / SILICONIX > SIHU6N62E-GE3
SIHU6N62E-GE3

SIHU6N62E-GE3 Vishay / Siliconix

sihu6n62e.pdf Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFETs 620V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.37 грн
10+66.94 грн
100+52.27 грн
500+49.64 грн
1000+45.17 грн
2500+43.85 грн
5000+43.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIHU6N62E-GE3 Vishay / Siliconix

Description: MOSFET N-CH 620V 6A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 78W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK (TO-251), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 578 pF @ 100 V.

Інші пропозиції SIHU6N62E-GE3

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHU6N62E-GE3 Виробник : VISHAY sihu6n62e.pdf SIHU6N62E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHU6N62E-GE3 SIHU6N62E-GE3 Виробник : Vishay sihu6n62e.pdf Trans MOSFET N-CH 620V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-251
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHU6N62E-GE3 SIHU6N62E-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sihu6n62e.pdf Description: MOSFET N-CH 620V 6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 620 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 578 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.