SIHU6N80AE-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 5284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 157.22 грн |
| 10+ | 99.75 грн |
| 100+ | 58.71 грн |
| 500+ | 49.72 грн |
| 1000+ | 43.91 грн |
| 3000+ | 43.06 грн |
| 6000+ | 41.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHU6N80AE-GE3 Vishay Semiconductors
Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO251AA, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V, Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-251AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHU6N80AE-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| SIHU6N80AE-GE3 | Виробник : Vishay |
 Power MOSFET |
товару немає в наявності |
||
 |
SIHU6N80AE-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 800V 5A TO251AA Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251AA Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 422 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |