SIHW47N60E-GE3 Vishay Siliconix
Виробник: Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 100 V
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 737.39 грн |
| 30+ | 373.04 грн |
| 120+ | 346.37 грн |
| 510+ | 310.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHW47N60E-GE3 Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 47A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 24A, 10V, Power Dissipation (Max): 357W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AD, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9620 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHW47N60E-GE3 за ціною від 527.82 грн до 791.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHW47N60E-GE3 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 600V Vds 30V Vgs TO-247AD |
на замовлення 969 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
 |
SIHW47N60E-GE3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 600V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD |
товару немає в наявності |