SIHW61N65EF-GE3 Vishay Semiconductors
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 932.29 грн |
| 10+ | 833.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHW61N65EF-GE3 Vishay Semiconductors
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 199A; 520W; TO247AD, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 41A, Pulsed drain current: 199A, Power dissipation: 520W, Case: TO247AD, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 47mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 371nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції SIHW61N65EF-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHW61N65EF-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 650V 64A TO247AD |
на замовлення 457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| SIHW61N65EF-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 199A; 520W; TO247AD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 41A Pulsed drain current: 199A Power dissipation: 520W Case: TO247AD Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 47mΩ Mounting: THT Gate charge: 371nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
| SIHW61N65EF-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 41A; Idm: 199A; 520W; TO247AD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 41A Pulsed drain current: 199A Power dissipation: 520W Case: TO247AD Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 47mΩ Mounting: THT Gate charge: 371nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |