| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1080.17 грн |
| 10+ | 810.75 грн |
| 100+ | 587.25 грн |
| 480+ | 523.63 грн |
| 960+ | 489.99 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIHW70N60EF-GE3 Vishay / Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 35A, 10V, Power Dissipation (Max): 520W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-247AD, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 100 V.
Інші пропозиції SIHW70N60EF-GE3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
SIHW70N60EF-GE3 | Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 600V 70A TO247ADPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 520W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AD Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 480 шт В кошику од. на суму грн. |
| SIHW70N60EF-GE3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 45A; Idm: 229A; 520W; TO247AD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 45A Power dissipation: 520W Case: TO247AD Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 38mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 229A Gate charge: 380nC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| SIHW70N60EF-GE3 |
|
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 600V 70A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 380 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SIHW70N60EF-GE3 |
|
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 45A; Idm: 229A; 520W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 229A
Gate charge: 380nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 45A; Idm: 229A; 520W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 45A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 229A
Gate charge: 380nC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.