Продукція > VISHAY SEMICONDUCTORS > SIJ128LDP-T1-GE3

SIJ128LDP-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-CHANNEL 80 V

на замовлення 7296 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис SIJ128LDP-T1-GE3 Vishay Semiconductors

Description: VISHAY - SIJ128LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25.5 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 22.3W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).

Інші пропозиції SIJ128LDP-T1-GE3

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна без ПДВ
SIJ128LDP-T1-GE3	Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 80V 10.2A/25.5A PPAK	на замовлення 6050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
SIJ128LDP-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIJ128LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25.5 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 22.3W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)	на замовлення 21591 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
SIJ128LDP-T1-GE3	VISHAY	Description: VISHAY - SIJ128LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25.5 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 22.3W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024)	на замовлення 21591 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн.
SIJ128LDP-T1-GE3	Vishay Siliconix	Description: MOSFET N-CH 80V 10.2A/25.5A PPAK	на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) Підписка на надходження	Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн.

SIJ128LDP-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 10.2A/25.5A PPAK

на замовлення 6050 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJ128LDP-T1-GE3

Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIJ128LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25.5 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)

на замовлення 21591 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SIJ128LDP-T1-GE3

на замовлення 21591 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

SIJ128LDP-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 10.2A/25.5A PPAK

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.