Продукція > VISHAY > SIJ128LDP-T1-GE3
SIJ128LDP-T1-GE3

SIJ128LDP-T1-GE3 VISHAY

sij128ldp.pdf Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIJ128LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25.5 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 21785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+66.93 грн
500+53.97 грн
1000+47.92 грн
5000+45.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIJ128LDP-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIJ128LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25.5 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 22.3W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції SIJ128LDP-T1-GE3 за ціною від 45.94 грн до 130.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIJ128LDP-T1-GE3 SIJ128LDP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sij128ldp-2897275.pdf MOSFET N-CHANNEL 80 V
на замовлення 7296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.58 грн
10+105.50 грн
100+79.26 грн
500+65.17 грн
1000+54.53 грн
9000+47.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ128LDP-T1-GE3 SIJ128LDP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sij128ldp.pdf Description: VISHAY - SIJ128LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25.5 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 21785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+130.08 грн
10+91.39 грн
100+66.93 грн
500+53.97 грн
1000+47.92 грн
5000+45.94 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ128LDP-T1-GE3 SIJ128LDP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sij128ldp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 10.2A/25.5A PPAK
на замовлення 6050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ128LDP-T1-GE3 SIJ128LDP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sij128ldp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 10.2A/25.5A PPAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ128LDP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sij128ldp.pdf SIJ128LDP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.