SIJ128LDP-T1-GE3 VISHAY
Виробник: VISHAYDescription: VISHAY - SIJ128LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25.5 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung: 22.3
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 88.91 грн |
| 500+ | 68.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SIJ128LDP-T1-GE3 VISHAY
Description: VISHAY - SIJ128LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25.5 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80, Dauer-Drainstrom Id: 25.5, hazardous: false, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 22.3, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5, euEccn: NLR, Verlustleistung: 22.3, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8, Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції SIJ128LDP-T1-GE3 за ціною від 42.34 грн до 127.44 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIJ128LDP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFET N-CHANNEL 80 V |
на замовлення 7296 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SIJ128LDP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Description: VISHAY - SIJ128LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25.5 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80 Dauer-Drainstrom Id: 25.5 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 22.3 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 22.3 Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SIJ128LDP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 80V 10.2A/25.5A PPAK |
на замовлення 6050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
SIJ128LDP-T1-GE3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 80V 10.2A/25.5A PPAK |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| SIJ128LDP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 25.5A; Idm: 70A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 25.5A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 22.3W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 3000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| SIJ128LDP-T1-GE3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 25.5A; Idm: 70A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 25.5A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 22.3W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20.3mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |