Продукція > VISHAY SILICONIX > SIJ186DP-T1-GE3
SIJ186DP-T1-GE3

SIJ186DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

sij186dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 23A/79.4A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 79.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+32.88 грн
6000+30.15 грн
9000+28.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIJ186DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: VISHAY - SIJ186DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79.4 A, 4500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 79.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V, Verlustleistung: 57W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm.

Інші пропозиції SIJ186DP-T1-GE3 за ціною від 31.56 грн до 79.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIJ186DP-T1-GE3 SIJ186DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sij186dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 23A/79.4A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 79.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V
на замовлення 11016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.34 грн
10+62.64 грн
100+48.71 грн
500+38.75 грн
1000+31.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ186DP-T1-GE3 SIJ186DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix VISH_S_A0010924795_1-2571337.pdf MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 4743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ186DP-T1-GE3 SIJ186DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010924795-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIJ186DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79.4 A, 4500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ186DP-T1-GE3 SIJ186DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0010924795-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIJ186DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79.4 A, 4500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ186DP-T1-GE3 Vishay sij186dp.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 23A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.23 грн
25+42.91 грн
100+39.32 грн
250+36.16 грн
500+34.28 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ186DP-T1-GE3 sij186dp.pdf
SIJ186DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 23A/79.4A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 79.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V
на замовлення 11016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+79.34 грн
10+62.64 грн
100+48.71 грн
500+38.75 грн
1000+31.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ186DP-T1-GE3 VISH_S_A0010924795_1-2571337.pdf
SIJ186DP-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 4743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ186DP-T1-GE3 VISH-S-A0010924795-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIJ186DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIJ186DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79.4 A, 4500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ186DP-T1-GE3 VISH-S-A0010924795-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIJ186DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIJ186DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 79.4 A, 4500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 79.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 57W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ186DP-T1-GE3 sij186dp.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 23A 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
18+43.23 грн
25+42.91 грн
100+39.32 грн
250+36.16 грн
500+34.28 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.