SIJ186DP-T1-GE3 Vishay Siliconix


sij186dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 23A/79.4A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 79.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+32.88 грн
6000+30.15 грн
9000+28.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIJ186DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 23A/79.4A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 79.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V.

Інші пропозиції SIJ186DP-T1-GE3 за ціною від 31.56 грн до 79.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SIJ186DP-T1-GE3 SIJ186DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sij186dp.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 23A/79.4A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 79.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V
на замовлення 11016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.34 грн
10+62.64 грн
100+48.71 грн
500+38.75 грн
1000+31.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ186DP-T1-GE3 SIJ186DP-T1-GE3 Vishay / Siliconix VISH_S_A0010924795_1-2571337.pdf MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 4743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ186DP-T1-GE3 sij186dp.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 23A/79.4A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 79.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 30 V
на замовлення 11016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+79.34 грн
10+62.64 грн
100+48.71 грн
500+38.75 грн
1000+31.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ186DP-T1-GE3 VISH_S_A0010924795_1-2571337.pdf
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 4743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.