Продукція > VISHAY SILICONIX > SIJ438ADP-T1-GE3
SIJ438ADP-T1-GE3

SIJ438ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix

sij438adp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 45.3A/169A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.3A (Ta), 169A(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 20 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+43.07 грн
6000+39.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIJ438ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 45.3A/169A PPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.3A (Ta), 169A(Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 20 V.

Інші пропозиції SIJ438ADP-T1-GE3 за ціною від 42.49 грн до 153.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIJ438ADP-T1-GE3 SIJ438ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay Semiconductors sij438adp.pdf MOSFETs 40V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 5025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+125.87 грн
10+99.59 грн
100+68.91 грн
500+58.27 грн
1000+47.48 грн
3000+43.89 грн
6000+42.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ438ADP-T1-GE3 SIJ438ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sij438adp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 45.3A/169A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45.3A (Ta), 169A(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 20 V
на замовлення 10708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.22 грн
10+94.11 грн
100+63.86 грн
500+47.79 грн
1000+45.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ438ADP-T1-GE3 Виробник : Vishay sij438adp.pdf N-Channel 40-V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8L 650M SG 2 mil , 1.35 mΩ @ 10V mΩ @ 7.5V 1.75 mΩ @ 4.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ438ADP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sij438adp.pdf SIJ438ADP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.