Продукція > VISHAY SILICONIX > SIJ438DP-T1-GE3
SIJ438DP-T1-GE3

SIJ438DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

sij438dp.pdf Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+48.49 грн
6000+45.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIJ438DP-T1-GE3 Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: PowerPAK® SO-8, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +20V, -16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 20 V.

Інші пропозиції SIJ438DP-T1-GE3 за ціною від 49.98 грн до 146.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIJ438DP-T1-GE3 SIJ438DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sij438dp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 80A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 20 V
на замовлення 17109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.06 грн
10+102.46 грн
100+72.56 грн
500+54.38 грн
1000+49.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ438DP-T1-GE3 SIJ438DP-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sij438dp.pdf MOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 34969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.77 грн
10+109.98 грн
100+69.15 грн
500+64.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ438DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY sij438dp.pdf SIJ438DP-T1-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.