Продукція > VISHAY > SIJ450DP-T1-GE3
SIJ450DP-T1-GE3

SIJ450DP-T1-GE3 VISHAY

VISH-S-A0012815753-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIJ450DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 113 A, 1900 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00155ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 29960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+63.28 грн
500+46.05 грн
1000+39.32 грн
5000+35.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SIJ450DP-T1-GE3 VISHAY

Description: VISHAY - SIJ450DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 113 A, 1900 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 45V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 113A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 48W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: PowerPAK SO, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: TrenchFET Gen IV, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00155ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Інші пропозиції SIJ450DP-T1-GE3 за ціною від 35.19 грн до 123.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIJ450DP-T1-GE3 SIJ450DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sij450dp.pdf Description: N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWE
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.79 грн
10+95.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ450DP-T1-GE3 SIJ450DP-T1-GE3 Виробник : VISHAY VISH-S-A0012815753-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIJ450DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 113 A, 1900 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 113A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1900µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 29960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+113.21 грн
11+80.93 грн
100+63.28 грн
500+46.05 грн
1000+39.32 грн
5000+35.19 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ450DP-T1-GE3 SIJ450DP-T1-GE3 Виробник : Vishay / Siliconix sij450dp.pdf MOSFETs POWRPK N CHAN 45V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.01 грн
100+117.79 грн
500+90.37 грн
1000+72.98 грн
3000+40.97 грн
9000+40.14 грн
24000+37.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ450DP-T1-GE3 SIJ450DP-T1-GE3 Виробник : Vishay Siliconix sij450dp.pdf Description: N-CHANNEL 45 V (D-S) MOSFET POWE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.